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NPNSiliconRFTransistor(Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPNSiliconRFTransistor NPNSiliconRFTransistor Preliminarydata ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT-490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditionto | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
SiliconNPNPlanarRFTransistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導體 | Vishay | ||
NPNSiliconRFTransistor)Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom0.5mAto12mA ?fT=8GHz F=1.45dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPNSiliconRFTransistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產廠家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質：
超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶放大 （A）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
20V
- 最大電流允許值：
0.02A
- 最大工作頻率：
8GHZ
- 引腳數：
2
- 可代換的型號：
BFQ77,BFR182(A),BFP182(A),DC5414,DC5415,BFQ66,BFQ645,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數：
- 圖片代號：
F-34
- vtest：
20
- htest：
8000000000
- atest：
0.02
- wtest：
0
詳細參數
- 型號：
BFQ181
- 功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 20MA I(C) | MICRO-X
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
23+ |
NA |
15659 |
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詢價 | |||
24+ |
2000 |
全新 |
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NXP |
2012+ |
SOT89 |
900000 |
全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢 |
詢價 | ||
NXP |
23+ |
原廠封裝 |
12300 |
詢價 | |||
NXP |
12+ |
SOT89 |
15000 |
全新原裝,絕對正品,公司現貨供應。 |
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NXP |
2015+ |
SOT89 |
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NXP(PHILIPS) |
16+ |
SOT89 |
30000 |
全新原裝現貨 |
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NXP(PHILIPS) |
2020+ |
SOT89 |
985000 |
100%進口原裝正品公司現貨庫存 |
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NXP |
24+ |
NA |
3000 |
進口原裝正品優(yōu)勢供應 |
詢價 | ||
NXP |
1735+ |
SOT-89 |
6528 |
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詢價 |
