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NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
Marking：RHs；Package：SOT-23；NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)package ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN Silicon RF Transistor NPNSiliconRFTransistor* ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersat collectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz,F=0.9dBat900MHz *Shorttermdescription | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
NPN Silicon RF Transistor Preliminarydata ?Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditiontos | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features ?Lownoisefigure ?Highpowergain Applications ??Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector current from 2 mA to 30mA) NPNSiliconRFTransistor ?Forlow-noise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz F=1.2dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS | ||
NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor ?Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz ?Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads ?QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available | InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司 | Infineon | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers) NPNSiliconRFTransistor ?Forlownoise,high-gainamplifiersupto2GHz ?Forlinearbroadbandamplifiers ?fT=8GHzF=1.3dBat900MHz | SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西門子德國西門子股份公司 | SIEMENS |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-PNP
- 性質(zhì)：
表面帖裝型 （SMD）
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
30V
- 最大電流允許值：
5A
- 最大工作頻率：
120MHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
2SB1308,
- 最大耗散功率：
0.75W
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號：
H-100
- vtest：
30
- htest：
120000000
- atest：
5
- wtest：
0.75
詳細參數(shù)
- 型號：
BFR
- 制造商：
ITT
- 制造商全稱：
ITT Industries
- 功能描述：
Aerospace Avionic Equipment Geological Exploration
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
LINFINEON |
23+ |
SOT393 |
7000 |
詢價 | |||
INFINEON/英飛凌 |
2223+ |
PG-SOD323-2 |
26800 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風險 |
詢價 | ||
VISHAY |
23+ |
SOT143 |
1050 |
專營高頻管模塊,全新原裝! |
詢價 | ||
NXP |
1725+ |
SOT23 |
7500 |
只做原裝進口,假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON |
13+ |
16258 |
原裝分銷 |
詢價 | |||
23+ |
65480 |
詢價 | |||||
VISHAY |
23+ |
TO-50 |
9980 |
價格優(yōu)勢、原裝現(xiàn)貨、客戶至上。歡迎廣大客戶來電查詢 |
詢價 | ||
NXP |
17+ |
NA |
6200 |
100%原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
NXP(PHILIPS) |
16+ |
SOT23 |
30000 |
全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 |
