BFR182W 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

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廠家型號：
BFR182W
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
生產廠商：
INFINEON/英飛凌
庫存數(shù)量：
100000
產品封裝：
SOT-323
生產批號：
22+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-3-23 20:00:00

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原廠料號：BFR182W品牌：INFINEON/英飛凌

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BFR182W是分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產封裝SOT-323/SC-70，SOT-323的BFR182W晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個端子的半導體器件，用于在涉及射頻的設備中開關或放大信號。雙極結型晶體管設計為 NPN 或 PNP，特征參數(shù)包括晶體管類型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

芯片型號：
BFR182W
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
INFINEON【英飛凌】詳情
廠商全稱：
Infineon Technologies AG
中文名稱：
英飛凌科技股份公司
內容頁數(shù)：
7 頁
文件大小：
79.15 kb
資料說明：
NPN Silicon RF Transistor

產品屬性

類型
描述
產品編號：
BFR182WH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
晶體管類型：
NPN
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
12V
頻率 - 躍遷：
8GHz
噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）：
0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
增益：
19dB
功率 - 最大值：
250mW
不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 10mA，8V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
35mA
工作溫度：
150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
SC-70，SOT-323
供應商器件封裝：
PG-SOT323
描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3

供應商

企業(yè)：
深圳市金芯世紀電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
陳小姐
手機：
18118707592
詢價：
電話：
0755-23616010
地址：
深圳市福田區(qū)華強北街道福強社區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座35層B03

BFR182W 分立半導體產品晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻 INFINEON/英飛凌

BFR182W

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