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BFR96 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedprimarilyforuseinhigh-gain,lownoise,small-signalamplifiers.Alsousedinapplicationsrequiringfastswitchingtimes. Features ?HighCurrent-Gain–BandwidthProduct,fT=4.5GHz(typ)@IC=50mA ?LowNoiseFigure–NF=2.4dB(typ)@f=0.5GHz ?HighPowe | MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司 | Microsemi | |
BFR96 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designedprimarilyforuseinhigh-gain,lownoise,small-signalamplifiers.Alsousedinapplicationsrequiringfastswitchingtimes. Features ·HighCurrent-Gain–BandwidthProduct,fT=4.5GHz(typ)@IC=50mA ·LowNoiseFigure–NF=2.4dB(typ)@f=0.5GHz | ADPOW Advanced Power Technology | ADPOW | |
BFR96 | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION:Designedprimarilyforuseinhigh-gain,lownoise,small-signalamplifiers.Alsousedinapplicationsrequiringfastswitchingtimes. Features ?HighCurrent-Gain–BandwidthProduct,fT=4.5GHz(typ)@IC=50mA ?LowNoiseFigure–NF=2.4dB(typ)@f=0.5GHz ?HighPowe | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司 | NJSEMI | |
BFR96 | The RF Line NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | |
BFR96 | N-P-N bipolar silicon RF transistor in plastic package SOT-37 | ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類(lèi)制造商未分類(lèi)制造商 | ETC1 | |
RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS DESCRIPTION: Designedprimarilyforuseinhigh-gain,lownoise,small-signalamplifiers.Alsousedinapplicationsrequiringfastswitchingtimes. Features ·HighCurrent-Gain–BandwidthProduct,fT=4.5GHz(typ)@IC=50mA ·LowNoiseFigure–NF=2.4dB(typ)@f=0.5GHz | ADPOW Advanced Power Technology | ADPOW | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features ●Highpowergain ●Lownoisefigure ●Hightransitionfrequency Applications ???RFamplifieruptoGHzrangespeciallyforwidebandantennaamplifier. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features ?Highpowergain ?Lownoisefigure ?Hightransitionfrequency ?Lead(Pb)-freecomponent ?ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications ???RFamplifieruptoGHzrangespeciallyforwidebandantennaamplifier. | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體 | Vishay | ||
The RF Line NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | ||
The RF Line NPN SILICON HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR | MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola |
晶體管資料
- 型號(hào)：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠(chǎng)家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性質(zhì)：
超高頻/特高頻 （UHF）_寬頻帶放大 （A）_TR
- 封裝形式：
貼片封裝
- 極限工作電壓：
- 最大電流允許值：
- 最大工作頻率：
5GHZ
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號(hào)：
2G913C,
- 最大耗散功率：
- 放大倍數(shù)：
- 圖片代號(hào)：
G-21
- vtest：
0
- htest：
5000000000
- atest：
0
- wtest：
0
詳細(xì)參數(shù)
- 型號(hào)：
BFR96
- 功能描述：
N-P-N bipolar silicon RF transistor in plastic package SOT-37
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
1688 |
房間現(xiàn)貨庫(kù)存:QQ:373621633 |
詢(xún)價(jià) | |||
KODENSHI |
24+ |
DIP |
7500 |
詢(xún)價(jià) | |||
NXP |
23+ |
DIP |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢(xún)價(jià) | ||
PHI |
2020+ |
DIP |
35000 |
公司100%原裝現(xiàn)貨,價(jià)格優(yōu)勢(shì)特價(jià)熱賣(mài),量大可訂。 |
詢(xún)價(jià) | ||
PHI |
24+ |
DIP |
2987 |
只售原裝自家現(xiàn)貨!誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)!歡迎來(lái)電! |
詢(xún)價(jià) | ||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微專(zhuān)業(yè)只做正品,假一罰百! |
詢(xún)價(jià) | ||
23+ |
65480 |
詢(xún)價(jià) | |||||
PHILIPS/飛利浦 |
24+ |
240 |
現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢(xún)價(jià) | |||
VISHAY |
24+ |
高頻管 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢(xún)價(jià) | ||
PHILIPS/飛利浦 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) |
