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BFS540分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BFS540
廠商型號

BFS540

參數(shù)屬性

BFS540 封裝/外殼為SC-70,SOT-323;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3

功能描述

Silicon NPN RF Transistor

封裝外殼

SC-70,SOT-323

文件大小

81.52 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-14 22:59:00

晶體管資料

  • 型號:

    BFS540

  • 別名:

    BFS540三極管、BFS540晶體管、BFS540晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    表面帖裝型 (SMD)_超高頻/特高頻 (UHF)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    20V

  • 最大電流允許值:

    0.12A

  • 最大工作頻率:

    9GHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    H-15

  • vtest:

    20

  • htest:

    9000000000

  • atest:

    0.12

  • wtest:

    0

BFS540規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

? Low Noise Figure

NF = 1.3 dB TYP. @VCE = 8 V, lc = 10 mA, f = 900 MHz

? High Current-Gain—Bandwidth Product

fT= 9 GHz TYP. @VCE = 8 V, lc = 40 mA, f = 1GHz

APPLICATIONS

? Designed for RF wideband amplifier applications such as

satellite TV systems and RF portable communication

equipment with signal frequencies up to 2 GHz.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BFS540,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    15V

  • 頻率 - 躍遷:

    9GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):

    1.3dB ~ 1.7dB @ 9MHz

  • 功率 - 最大值:

    500mW

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 40mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    120mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SC-70,SOT-323

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SC-70

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 9GHZ SOT323-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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