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BFY183

HiRel NPN Silicon RF Transistor (HiRel Discrete and Microwave Semiconductor)

Features ?HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ?Forlownoise,highgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA ?Hermeticallysealedmicrowavepackage ?fT=8GHz,F=2.3dBat2GHz ?eesaqualified ?ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BFY183ES

HiRel NPN Silicon RF Transistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

InfineonInfineon Technologies AG

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BFY183H

HiRel NPN Silicon RF Transistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

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BFY183P

HiRel NPN Silicon RF Transistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

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BFY183S

HiRel NPN Silicon RF Transistor

HiRelNPNSiliconRFTransistor ●HiRelDiscreteandMicrowaveSemiconductor ●Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom2mAto30mA. ●Hermeticallysealedmicrowavepackage ●fT=8GHzF=2.3dBat2GHz ●eesaqualified ●ESA/SCCDetailSpec.No.:5611/006

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BFY181

HiRel NPN Silicon RF Transistor

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BFY181_11

HiRel NPN Silicon RF Transistor

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BFY182

HiRel NPN Silicon RF Transistor

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BFY182_11

HiRel NPN Silicon RF Transistor

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BFY183

HiRel NPN Silicon RF Transistor

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晶體管資料

  • 型號:

    BFY18

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    射頻/高頻放大 (HF)_開關(guān)管 (S)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    40V

  • 最大電流允許值:

    0.1A

  • 最大工作頻率:

    145MHZ

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BC107,BC171,BC183,BC237,BSW41,BSY63,2N2221,2N2222,3DG120C,

  • 最大耗散功率:

    0.3W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    D-8

  • vtest:

    40

  • htest:

    145000000

  • atest:

    0.1

  • wtest:

    0.3

詳細參數(shù)

  • 型號:

    BFY18

  • 制造商:

    CENTRAL

  • 制造商全稱:

    Central Semiconductor Corp

  • 功能描述:

    Small Signal Transistors

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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CAN3
450000
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