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BFY193分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BFY193
廠商型號(hào)

BFY193

參數(shù)屬性

BFY193 封裝/外殼為MICRO-X1;包裝為卷帶(TR);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

功能描述

HiRel NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

封裝外殼

MICRO-X1

文件大小

394.35 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon英飛凌

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-21 15:00:00

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BFY193規(guī)格書(shū)詳情

BFY193屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BFY193晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻雙極型射頻晶體管是一種具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,用于在涉及射頻的設(shè)備中開(kāi)關(guān)或放大信號(hào)。雙極結(jié)型晶體管設(shè)計(jì)為 NPN 或 PNP,特征參數(shù)包括晶體管類(lèi)型、集射極擊穿電壓、躍遷頻率、噪聲系數(shù)、增益、功率、DC 電流增益和集電極電流。

HiRel NPN Silicon RF Transistor

? HiRel Discrete and Microwave Semiconductor

? For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz.

? For linear broadband amplifiers

? Hermetically sealed microwave package

? fT= 8 GHz

F = 2.3 dB at 2 GHz

? eesa Space Qualified

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5611/006 Type Variant No. 06

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BFY193PZZZA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    12V

  • 頻率 - 躍遷:

    7.5GHz

  • 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):

    2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz

  • 增益:

    12.5dB ~ 13.5dB

  • 功率 - 最大值:

    580mW

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 30mA,8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    MICRO-X1

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    MICRO-X1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ MICRO X1

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEON
23+
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8000
只做原裝現(xiàn)貨
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INFINEON
23+
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7000
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原裝正品,提供BOM配單服務(wù)
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