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BG3123E6327 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

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原廠料號(hào)：BG3123E6327品牌：INFINEON

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BG3123E6327是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝SOT163/6-VSSOP，SC-88，SOT-363的BG3123E6327晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    BG3123E6327

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱(chēng)：

    英飛凌科技股份公司

  • 資料說(shuō)明：

    Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A 6-Pin SOT-363 T/R

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BG3123E6327HTSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤(pán)

  • 晶體管類(lèi)型：

    2 N-通道（雙）

  • 頻率：

    800MHz

  • 增益：

    25dB

  • 額定電流（安培）：

    25mA，20mA

  • 噪聲系數(shù)：

    1.8dB

  • 封裝/外殼：

    6-VSSOP，SC-88，SOT-363

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    PG-SOT363-PO

  • 描述：

    MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT-363

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市凌旭科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    謝先生

  • 手機(jī)：

    13682335883

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-83221677

  • 傳真：

    0755-83234215

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)501棟407

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