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BLC10G22LS-240PVT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
![BLC10G22LS-240PVT](https://oss.114ic.com/img3w/pdf141156.png)
廠商型號 |
BLC10G22LS-240PVT |
參數(shù)屬性 | BLC10G22LS-240PVT 封裝/外殼為SOT-1275-3;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
封裝外殼 | SOT-1275-3 |
文件大小 |
1.64433 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
17 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-7 10:02:00 |
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BLC10G22LS-240PVT規(guī)格書詳情
BLC10G22LS-240PVT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLC10G22LS-240PVT晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
240 W LDMOS power transistor with enhanced video bandwidth for base station
applications at frequencies from 2110 MHz to 2200 MHz.
Features and benefits
? Excellent ruggedness
? Excellent video bandwidth enabling full band operation
? High efficiency
? Low thermal resistance providing excellent thermal stability
? Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability
? Internally matched for ease of use
? Integrated ESD protection
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? RF power amplifiers for base stations and multi carrier applications in the
2110 MHz to 2200 MHz frequency range
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BLC10G22LS-240PVT
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS(雙),共源
- 頻率:
2.11GHz ~ 2.2GHz
- 增益:
19.7dB
- 額定電流(安培):
1.4μA
- 功率 - 輸出:
240W
- 封裝/外殼:
SOT-1275-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-1275-3
- 描述:
RF FET
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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