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BLD112D

NPN D SERIES TRANSISTORS

SISEMICShenzhen SI Semiconductors Co.,LTD.

深愛半導體深圳深愛半導體股份有限公司

BLE112

Heartratesensors

SILABS

Silicon Laboratories

BLE112

Bluetoothv.4.0,singlemodecompliant

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

BLE112

Bluetoothspecification

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

BLED112

BLED112USBdongle

SILABS

Silicon Laboratories

BS112

WIDEWAVELENGTHBANDTYPEPHOTODIODE

BlueSensitivePhotodiodes

SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA)

夏普微美國夏普微電子公司（SMA）

BSH112

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS?1technology. Features ■TrenchMOS?technology ■Veryfastswitching ■Logiclevelcompatible ■Subminiaturesurfacemountpackage ■Gate-sourceESDprotectiondiodes. c c Applications ■

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSH112

N-channelenhancementmodefield-effecttransistor

1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS?1technology. Productavailability: BSH112inSOT23. 2.Features nTrenchMOS?technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage nGate-sourc

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BTS112

TEMPFET(NchannelEnhancementmodeTemperaturesensorwiththyristorcharacteristic)

Features ●Nchannel ●Enhancementmode ●Temperaturesensorwiththyristorcharacteristic ●ThedrainpiniselectricalIyshortedtothetab

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BTS112

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.15Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

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更多BLD112D供應商 更新時間2025-4-15 18:02:00

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