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BLF1721M8LS200分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF1721M8LS200
廠商型號

BLF1721M8LS200
參數(shù)屬性

BLF1721M8LS200 封裝/外殼為SOT-502B；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
封裝外殼

SOT-502B
文件大小

1.25014 Mbytes
頁面數(shù)量

14 頁
生產廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon【安譜隆】

中文名稱

安譜隆官網
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-31 10:33:00
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BLF1721M8LS200規(guī)格書詳情

BLF1721M8LS200屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產的BLF1721M8LS200晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

200 W LDMOS power transistor for various applications such as Industrial, Scientific and

Medical (ISM) and industrial heating at frequencies from 1700 MHz to 2100 MHz.

Features and benefits

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Low thermal resistance providing excellent thermal stability

? Designed for broadband operation

? Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications

? Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability

? Internally matched for ease of use

? Integrated ESD protection

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? RF power amplifiers for pulsed and CW applications in the 1700 MHz to 2100 MHz

frequency range such as ISM and industrial heating

產品屬性

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  • 產品編號：

    BLF1721M8LS200U

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.11GHz ~ 2.17GHz

  • 增益：

    19dB

  • 功率 - 輸出：

    55W

  • 封裝/外殼：

    SOT-502B

  • 供應商器件封裝：

    SOT502B

  • 描述：

    RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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