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BLF2324M8LS200P分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF2324M8LS200P
廠商型號

BLF2324M8LS200P

參數(shù)屬性

BLF2324M8LS200P 封裝/外殼為SOT-539B;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B

封裝外殼

SOT-539B

文件大小

828.3 Kbytes

頁面數(shù)量

11

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 23:00:00

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BLF2324M8LS200P規(guī)格書詳情

BLF2324M8LS200P屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF2324M8LS200P晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

200 W LDMOS power transistor for industrial applications at frequencies from 2300 MHz

to 2400 MHz.

Features and benefits

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Low thermal resistance providing excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (2300 MHz to 2400 MHz)

? Lower output capacitance for improved performance in Doherty applications

? Designed for low memory effects providing excellent pre-distortability

? Internally matched for ease of use

? Integrated ESD protection

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? RF power amplifiers for industrial and multi carrier applications in the 2300 MHz to

2400 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLF2324M8LS200PU

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    2.3GHz ~ 2.4GHz

  • 增益:

    17.2dB

  • 功率 - 輸出:

    60W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT539B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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