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BLF6G13LS-250P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
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廠商型號 |
BLF6G13LS-250P |
參數(shù)屬性 | BLF6G13LS-250P 封裝/外殼為SOT-1121E;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E |
功能描述 | Power LDMOS transistor |
封裝外殼 | SOT-1121E |
文件大小 |
1.08692 Mbytes |
頁面數(shù)量 |
15 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-2-19 20:00:00 |
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更多BLF6G13LS-250P規(guī)格書詳情
BLF6G13LS-250P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF6G13LS-250P晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
250 W LDMOS power transistor intended for CW applications at a frequency of 1.3 GHz.
Features and benefits
? Easy power control
? Integrated ESD protection
? Excellent ruggedness
? High efficiency
? Excellent thermal stability
? Internally matched for ease of use
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? Industrial, scientific and medical applications
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BLF6G13LS-250PGJ
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
1.3GHz
- 增益:
17dB
- 功率 - 輸出:
250W
- 封裝/外殼:
SOT-1121E
- 供應(yīng)商器件封裝:
CDFM4
- 描述:
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
3329 |
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票 |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
NA |
3217 |
專做原裝正品,假一罰百! |
詢價(jià) | ||
NXP |
NA |
5500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價(jià) | |||
NXP |
24+ |
SMD |
1680 |
NXP專營品牌進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
NXP |
23+ |
SMD |
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專注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
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NXP |
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詢價(jià) | |||
NXP |
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詢價(jià) | |||
NXP/恩智浦 |
22+ |
SOT1110 |
9000 |
原裝正品 |
詢價(jià) | ||
Ampleon USA Inc. |
22+ |
LDMOST |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價(jià) |