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BLF6G13LS-250P分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF6G13LS-250P
廠商型號

BLF6G13LS-250P

參數(shù)屬性

BLF6G13LS-250P 封裝/外殼為SOT-1121E;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E

功能描述

Power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E

封裝外殼

SOT-1121E

文件大小

1.08692 Mbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-19 20:00:00

BLF6G13LS-250P規(guī)格書詳情

BLF6G13LS-250P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF6G13LS-250P晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

250 W LDMOS power transistor intended for CW applications at a frequency of 1.3 GHz.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Industrial, scientific and medical applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLF6G13LS-250PGJ

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.3GHz

  • 增益:

    17dB

  • 功率 - 輸出:

    250W

  • 封裝/外殼:

    SOT-1121E

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CDFM4

  • 描述:

    RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1121E

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