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BLF6G20LS-110分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BLF6G20LS-110
廠(chǎng)商型號(hào)

BLF6G20LS-110

參數(shù)屬性

BLF6G20LS-110 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

功能描述

Power LDMOS transistor

封裝外殼

SOT-502B

文件大小

74.57 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠(chǎng)商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

nxp恩智浦

中文名稱(chēng)

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠(chǎng)標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-8 16:30:00

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BLF6G20LS-110規(guī)格書(shū)詳情

General description

110 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 1800 MHz to 2000 MHz.

Features

■ Typical 2-carrier W-CDMA performance at frequencies of 1930 MHz and 1990 MHz, a supply voltage of 28 V and an IDq of 900 mA:

◆ Average output power = 25 W

◆ Power gain = 19 dB

◆ Efficiency = 31

◆ IMD3 = ?37 dBc

◆ ACPR = ?40 dBc

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (1800 MHz to 2000 MHz)

■ Internally matched for ease of use

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ RF power amplifiers for GSM, GSM EDGE, W-CDMA and CDMA base stations and multicarrier applications in the 1800 MHz to 2000 MHz frequency range

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BLF6G20LS-110,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類(lèi)型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.93GHz ~ 1.99GHz

  • 增益:

    19dB

  • 額定電流(安培):

    29A

  • 功率 - 輸出:

    25W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
NXP(恩智浦)
24+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7848
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