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BLF888A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLF888A
廠商型號

BLF888A

參數(shù)屬性

BLF888A 封裝/外殼為SOT-539B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B

功能描述

UHF power LDMOS transistor
RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B

封裝外殼

SOT-539B

文件大小

1.53792 Mbytes

頁面數(shù)量

17

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 23:00:00

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BLF888A規(guī)格書詳情

BLF888A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLF888A晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

A 600 W LDMOS RF power transistor for broadcast transmitter applications and industrial

applications. The excellent ruggedness of this device makes it ideal for digital and analog

transmitter applications.

Features and benefits

? Excellent ruggedness (VSWR ? 40 : 1 through all phases)

? Optimum thermal behavior and reliability, Rth(j-c) = 0.15 K/W

? Suitable for CW UHF and ISM applications

? High power gain

? High efficiency

? Designed for broadband operation (470 MHz to 860 MHz)

? Internal input matching for high gain and optimum broadband operation

? Excellent reliability

? Easy power control

? Compliant to Restriction of Hazardous Substances (RoHS) Directive 2002/95/EC

Applications

? Communication transmitter applications in the UHF band

? Industrial applications in the UHF band

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLF888AS,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS(雙),共源

  • 頻率:

    860MHz

  • 增益:

    21dB

  • 功率 - 輸出:

    250W

  • 封裝/外殼:

    SOT-539B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT539B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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