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BLP10H603分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLP10H603
廠商型號

BLP10H603
參數(shù)屬性

BLP10H603 封裝/外殼為12-VDFN 裸露焊盤；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
功能描述

Broadband LDMOS driver transistor
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
封裝外殼

12-VDFN 裸露焊盤
文件大小

880.79 Kbytes
頁面數(shù)量

11 頁
生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon【安譜隆】

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-30 11:10:00
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BLP10H603規(guī)格書詳情

BLP10H603屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLP10H603晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

A 2.5 W plastic LDMOS power transistor for broadcast transmitter and ISM applications at

frequencies from HF to 1400 MHz.

Features and benefits

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? Excellent ruggedness

? High efficiency

? Excellent thermal stability

? Designed for broadband operation (HF to 1400 MHz)

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? Industrial, scientific and medical applications

? Broadcast transmitter applications

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    BLP10H603Z

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    托盤

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    860MHz

  • 增益：

    22.8dB

  • 功率 - 輸出：

    2.5W

  • 封裝/外殼：

    12-VDFN 裸露焊盤

  • 供應商器件封裝：

    12-HVSON（6x5）

  • 描述：

    RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
AMPLEON
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QFN
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