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BLS3135-10分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS3135-10
廠商型號

BLS3135-10

參數屬性

BLS3135-10 封裝/外殼為SOT-445C;包裝為帶;類別為分立半導體產品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產品描述:RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2

功能描述

Microwave power transistor

封裝外殼

SOT-445C

文件大小

78.31 Kbytes

頁面數量

12

生產廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-7 13:58:00

BLS3135-10規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a 2-lead rectangular flange package with a ceramic cap (SOT445C) with the common base connected to the flange.

FEATURES

? Suitable for short and medium pulse applications

? Internal input and output matching networks for an easy circuit design

? Emitter ballasting resistors improve ruggedness

? Gold metallization ensures excellent reliability

? Interdigitated emitter-base structure provides high emitter efficiency

? Multicell geometry improves power sharing and reduces thermal resistance.

APPLICATIONS

? Common base class-C pulsed power amplifier for radar applications in the 3.1 to 3.5 GHz range.

產品屬性

  • 產品編號:

    BLS3135-10,114

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    75V

  • 頻率 - 躍遷:

    3.5GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    34W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 250mA,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    1.5A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SOT-445C

  • 供應商器件封裝:

    CDFM2

  • 描述:

    RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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