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BLS3135-65分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BLS3135-65 |
| 參數(shù)屬性 | BLS3135-65 封裝/外殼為SOT-422A；包裝為帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2 |
| 功能描述 | Microwave power transistor |
| 封裝外殼 | SOT-422A |
| 文件大小 |
72.38 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | NXP Semiconductors |
| 企業(yè)簡稱 |
Philips【飛利浦】 |
| 中文名稱 | 荷蘭皇家飛利浦官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-12 10:09:00 |
BLS3135-65規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial microwave power transistor in a 2-lead rectangular flange package with a ceramic cap (SOT422A) with the common base connected to the flange.
FEATURES
? Suitable for short and medium pulse applications
? Internal input and output matching networks for an easy circuit design
? Emitter ballasting resistors improve ruggedness
? Gold metallization ensures excellent reliability
? Interdigitated emitter-base structure provides high emitter efficiency
? Multicell geometry improves power sharing and reduces thermal resistance.
APPLICATIONS
? Common base class-C pulsed power amplifiers for radar applications in the 3.1 to 3.5 GHz band.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
BLS3135-65,114
- 制造商：
NXP USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
帶
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
75V
- 頻率 - 躍遷：
3.5GHz
- 增益：
7dB
- 功率 - 最大值：
200W
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 2A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
8A
- 工作溫度：
200°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
SOT-422A
- 供應(yīng)商器件封裝：
CDFM2
- 描述：
RF TRANS NPN 75V 3.5GHZ CDFM2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
BRIGHTLED |
24+ |
35200 |
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詢價(jià) | |||
NXP |
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NA |
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NXP/恩智浦 |
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