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BLS6G2731-120分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS6G2731-120
廠商型號

BLS6G2731-120

參數(shù)屬性

BLS6G2731-120 封裝/外殼為SOT-502A;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A

功能描述

LDMOS S-band radar power transistor

封裝外殼

SOT-502A

文件大小

81.61 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-4 23:12:00

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BLS6G2731-120規(guī)格書詳情

General description

120 W LDMOS power transistor intended for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz range.

Features

■ Typical pulsed RF performance at a frequency of 2.7 GHz to 3.1 GHz, a supply voltage of 32 V, an IDq of 100 mA, a tp of 100 μs with δ of 10 :

? Output power = 120 W

? Power gain = 13.5 dB

? Efficiency = 48

■ Easy power control

■ Integrated ESD protection

■ High flexibility with respect to pulse formats

■ Excellent ruggedness

■ High efficiency

■ Excellent thermal stability

■ Designed for broadband operation (2.7 GHz to 3.1 GHz)

■ Internally matched for ease of use

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances (RoHS)

Applications

■ S-band power amplifiers for radar applications in the 2.7 GHz to 3.1 GHz frequency range

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLS6G2731-120,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    2.7GHz ~ 3.1GHz

  • 增益:

    13.5dB

  • 額定電流(安培):

    33A

  • 功率 - 輸出:

    120W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502A

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502A

  • 描述:

    RF FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
NXP
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1983
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