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BLS6G3135S-20

RFManual16thedition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BLS6G3135S-20

LDMOSS-Bandradarpowertransistor

Generaldescription 20WLDMOSpowertransistorintendedforradarapplicationsinthe3.1GHzto3.5GHzrange. Featuresandbenefits ■TypicalpulsedRFperformanceatafrequencyof3.1GHzto3.5GHz,asupplyvoltage of32V,anIDqof50mA,atpof300μsandaδof10: ◆Output

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BLS6G3135S-20,112

  • 功能描述：

    射頻MOSFET電源晶體管 TRANS S-BAND RADAR LDMOS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Freescale Semiconductor

  • 配置：

    Single

  • 頻率：

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益：

    27 dB

  • 輸出功率：

    100 W

  • 封裝/箱體：

    NI-780-4

  • 封裝：

    Tray

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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5500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
 詢價(jià)
更多BLS6G3135S-20,112供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-5-24 10:09:00

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