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BLS7G3135LS-200分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS7G3135LS-200
廠商型號

BLS7G3135LS-200

參數(shù)屬性

BLS7G3135LS-200 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B

功能描述

LDMOS S-band radar power transistor
RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B

封裝外殼

SOT-502B

文件大小

761.6 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡稱

Ampleon安譜隆

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 23:00:00

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BLS7G3135LS-200規(guī)格書詳情

BLS7G3135LS-200屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS7G3135LS-200晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

200 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from

3100 MHz to 3500 MHz.

Features and benefits

? High efficiency

? Excellent ruggedness

? Designed for broadband operation

? Excellent thermal stability

? Easy power control

? Integrated ESD protection

? High flexibility with respect to pulse formats

? Internally matched for ease of use (input and output)

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? S-band radar applications in the frequency range 3100 MHz to 3500 MHz

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BLS7G3135LS-200U

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    3.5GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 輸出:

    200W

  • 封裝/外殼:

    SOT-502B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT502B

  • 描述:

    RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B

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