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BLS7G3135LS-200分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BLS7G3135LS-200 |
參數(shù)屬性 | BLS7G3135LS-200 封裝/外殼為SOT-502B;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B |
功能描述 | LDMOS S-band radar power transistor |
封裝外殼 | SOT-502B |
文件大小 |
761.6 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-4 23:00:00 |
人工找貨 | BLS7G3135LS-200價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
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更多BLS7G3135LS-200規(guī)格書詳情
BLS7G3135LS-200屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS7G3135LS-200晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
200 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the frequency range from
3100 MHz to 3500 MHz.
Features and benefits
? High efficiency
? Excellent ruggedness
? Designed for broadband operation
? Excellent thermal stability
? Easy power control
? Integrated ESD protection
? High flexibility with respect to pulse formats
? Internally matched for ease of use (input and output)
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? S-band radar applications in the frequency range 3100 MHz to 3500 MHz
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
BLS7G3135LS-200U
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
托盤
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
3.5GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 輸出:
200W
- 封裝/外殼:
SOT-502B
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT502B
- 描述:
RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP/恩智浦 |
24+ |
NA/ |
57 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
AMP |
24+ |
SMD |
6618 |
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NXP/恩智浦 |
25+ |
SMD |
53 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
2019+ |
SOT502B |
6992 |
原廠渠道 可含稅出貨 |
詢價 | ||
NXP/恩智浦 |
2447 |
20 |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
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Ampleon USA Inc. |
2022+ |
SOT502B |
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