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BLS9G2729LS-350分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLS9G2729LS-350
廠商型號(hào)

BLS9G2729LS-350
參數(shù)屬性

BLS9G2729LS-350 封裝/外殼為SOT-502B；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
功能描述

LDMOS S-band radar power transistor
RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B
封裝外殼

SOT-502B
文件大小

1.24528 Mbytes
頁面數(shù)量

13 頁
生產(chǎn)廠商 Ampleon USA Inc.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Ampleon【安譜隆】

中文名稱

安譜隆官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-21 10:06:00
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BLS9G2729LS-350規(guī)格書詳情

BLS9G2729LS-350屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS9G2729LS-350晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

General description

350 W LDMOS power transistor for S-band applications in the frequency range from

2.7 GHz to 2.9 GHz.

Features and benefits

? High efficiency

? Excellent ruggedness

? Designed for S-band operations

? Excellent thermal stability

? Easy power control

? Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation

? High flexibility with respect to pulse formats

? Internally matched for ease of use

? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances

(RoHS)

Applications

? S-band radar applications in the frequency range from 2.7 GHz to 2.9 GHz

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BLS9G2729LS-350U

  • 制造商：

    Ampleon USA Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    管件

  • 晶體管類型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.7GHz ~ 2.9GHz

  • 增益：

    14dB

  • 額定電流（安培）：

    4μA

  • 功率 - 輸出：

    350W

  • 封裝/外殼：

    SOT-502B

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT502B

  • 描述：

    RF MOSFET LDMOS 28V SOT502B

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
24+
N/A
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