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BLS9G2735LS-50分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
BLS9G2735LS-50 |
| 參數(shù)屬性 | BLS9G2735LS-50 封裝/外殼為SOT-1135B；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF MOSFET LDMOS SOT1135B |
| 功能描述 | LDMOS S-band radar power transistor |
| 封裝外殼 | SOT-1135B |
| 文件大小 |
1.20097 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
| 中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-4 15:22:00 |
| 人工找貨 | BLS9G2735LS-50價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
BLS9G2735LS-50規(guī)格書詳情
BLS9G2735LS-50屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLS9G2735LS-50晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
Single ended 50 W LDMOS power transistor for S-band radar applications in the
frequency range from 2.7 GHz to 3.5 GHz.
Features and benefits
? Single ended
? Small size
? High efficiency
? Excellent ruggedness
? Designed for S-band operation
? Excellent thermal stability
? Easy power control
? Integrated dual sided ESD protection enables excellent off-state isolation
? High flexibility with respect to pulse formats
? Internally matched for ease of use
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? S-band radar applications in the frequency range from 2.7 GHz to 3.5 GHz
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
BLS9G2735LS-50U
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.7GHz ~ 3.5GHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 輸出：
50W
- 封裝/外殼：
SOT-1135B
- 供應(yīng)商器件封裝：
CDFM2
- 描述：
RF MOSFET LDMOS SOT1135B
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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