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BLT70分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLT70
廠商型號

BLT70

參數(shù)屬性

BLT70 封裝/外殼為TO-261-4,TO-261AA;包裝為帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223

功能描述

RF Manual 16th edition

封裝外殼

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

9.37507 Mbytes

頁面數(shù)量

130

生產(chǎn)廠商 NXP Semiconductors
企業(yè)簡稱

nxp恩智浦

中文名稱

恩智浦半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-18 22:30:00

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BLT70規(guī)格書詳情

General description

10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.

Features and benefits

■ High efficiency

■ Excellent ruggedness

■ Designed for broadband operation

■ Excellent thermal stability

■ High power gain

■ Integrated ESD protection

■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)

Applications

■ CDMA

■ W-CDMA

■ GSM EDGE

■ MC-GSM

■ LTE

■ WiMAX

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLT70,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    8V

  • 頻率 - 躍遷:

    900MHz

  • 功率 - 最大值:

    2.1W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 100mA,4.8V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    250mA

  • 工作溫度:

    175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供應商器件封裝:

    SC-73

  • 描述:

    RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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