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BLU6H0410L-600P分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
BLU6H0410L-600P |
| 參數(shù)屬性 | BLU6H0410L-600P 封裝/外殼為SOT-539A；包裝為托盤；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A |
| 功能描述 | Power LDMOS transistor |
| 封裝外殼 | SOT-539A |
| 文件大小 |
1.40668 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
15 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Ampleon USA Inc. |
| 企業(yè)簡稱 |
Ampleon【安譜隆】 |
| 中文名稱 | 安譜隆官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-10 11:24:00 |
| 人工找貨 | BLU6H0410L-600P價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
BLU6H0410L-600P規(guī)格書詳情
BLU6H0410L-600P屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由安譜隆制造生產(chǎn)的BLU6H0410L-600P晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
General description
A 600 W LDMOS RF power transistor for radar transmitter applications and industrial
applications in the frequency range of 400 MHz to 900 MHz.
Features and benefits
? Excellent ruggedness (VSWR ? 40 : 1 through all phases)
? Optimum thermal behavior and reliability, Rth(j-c) = 0.15 K/W
? High power gain
? High efficiency
? Internal input matching for high gain and optimum broadband operation
? Excellent reliability
? Easy power control
? Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances
(RoHS)
Applications
? Power amplifier for radar transmitter applications in the 400 MHz to 900 MHz
frequency range
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
BLU6H0410L-600P,11
- 制造商：
Ampleon USA Inc.
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
托盤
- 晶體管類型：
LDMOS（雙），共源
- 頻率：
860MHz
- 增益：
21dB
- 功率 - 輸出：
250W
- 封裝/外殼：
SOT-539A
- 供應商器件封裝：
SOT539A
- 描述：
RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHILIPS |
24+ |
TO-55r |
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PHILIPS |
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