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BLW96分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

BLW96
廠商型號

BLW96

參數(shù)屬性

BLW96 封裝/外殼為SOT-121B;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4

功能描述

HF/VHF power transistor

封裝外殼

SOT-121B

文件大小

127.89 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企業(yè)簡稱

NJSEMI新澤西半導(dǎo)體

中文名稱

新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-6 8:48:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BLW96

  • 別名:

    BLW96三極管、BLW96晶體管、BLW96晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    調(diào)幅 (AM)_調(diào)頻 (FM)_功率放大 (L)

  • 封裝形式:

    貼片封裝

  • 極限工作電壓:

    110V

  • 最大電流允許值:

    12A

  • 最大工作頻率:

    108MHZ

  • 引腳數(shù):

    4

  • 可代換的型號:

  • 最大耗散功率:

    200W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    G-266

  • vtest:

    110

  • htest:

    108000000000

  • atest:

    12

  • wtest:

    200

BLW96規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated high power industrial and military transmitting equipment in the h.f. and v.h.f. band. The transistor presents excellent performance as a linear amplifier in s.s.b. applications. It is resistance

stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. Transistors are supplied in matched hFE groups.

The transistor has a 1?2 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BLW96/01,112

  • 制造商:

    Ampleon USA Inc.

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    55V

  • 頻率 - 躍遷:

    235MHz

  • 功率 - 最大值:

    340W

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    15 @ 7A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    12A

  • 工作溫度:

    200°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    SOT-121B

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    CRFM4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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