BLW96分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
BLW96 |
參數(shù)屬性 | BLW96 封裝/外殼為SOT-121B;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4 |
功能描述 | HF/VHF power transistor |
封裝外殼 | SOT-121B |
文件大小 |
127.89 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
企業(yè)簡稱 |
NJSEMI【新澤西半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-6 8:48:00 |
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晶體管資料
- 型號:
- 別名:
BLW96三極管、BLW96晶體管、BLW96晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家:
- 制作材料:
Si-NPN
- 性質(zhì):
調(diào)幅 (AM)_調(diào)頻 (FM)_功率放大 (L)
- 封裝形式:
貼片封裝
- 極限工作電壓:
110V
- 最大電流允許值:
12A
- 最大工作頻率:
108MHZ
- 引腳數(shù):
4
- 可代換的型號:
- 最大耗散功率:
200W
- 放大倍數(shù):
- 圖片代號:
G-266
- vtest:
110
- htest:
108000000000
- atest:
12
- wtest:
200
BLW96規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
N-P-N silicon planar epitaxial transistor intended for use in class-A, AB and B operated high power industrial and military transmitting equipment in the h.f. and v.h.f. band. The transistor presents excellent performance as a linear amplifier in s.s.b. applications. It is resistance
stabilized and is guaranteed to withstand severe load mismatch conditions. Transistors are supplied in matched hFE groups.
The transistor has a 1?2 flange envelope with a ceramic cap. All leads are isolated from the flange.
???????
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
BLW96/01,112
- 制造商:
Ampleon USA Inc.
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):
55V
- 頻率 - 躍遷:
235MHz
- 功率 - 最大值:
340W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
15 @ 7A,5V
- 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):
12A
- 工作溫度:
200°C(TJ)
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
SOT-121B
- 供應(yīng)商器件封裝:
CRFM4
- 描述:
RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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