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BM3G015MUV-LBE2中文資料羅姆數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BM3G015MUV-LBE2
廠商型號(hào)

BM3G015MUV-LBE2

功能描述

650 V GaN HEMT Power Stage

絲印標(biāo)識(shí)

M3G015MUV

封裝外殼

VQFN046V8080

文件大小

1.45503 Mbytes

頁面數(shù)量

29

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-7 8:00:00

BM3G015MUV-LBE2規(guī)格書詳情

Features

? Nano CapTM Integrated Output Selectable 5 V LDO

? Long Time Support Product for Industrial Applications

? Wide Operating Range for VDD Pin Voltage

? Wide Operating Range for IN Pin Voltage

? Low VDD Quiescent and Operating Current

? Low Propagation Delay

? High dv/dt Immunity

? Adjustable Gate Drive Strength

? Power Good Signal Output

? VDD UVLO Protection

? Thermal Shutdown Protection

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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