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BQ4017YMC-70集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BQ4017YMC-70
廠商型號

BQ4017YMC-70

參數(shù)屬性

BQ4017YMC-70 封裝/外殼為36-DIP 模塊(0.610",15.49mm);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC NVSRAM 16MBIT PAR 36DIP MOD

功能描述

2048Kx8 Nonvolatile SRAM
IC NVSRAM 16MBIT PAR 36DIP MOD

封裝外殼

36-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

文件大小

786.54 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Texas Instruments
企業(yè)簡稱

TI1德州儀器

中文名稱

德州儀器官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-4 16:00:00

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BQ4017YMC-70規(guī)格書詳情

BQ4017YMC-70屬于集成電路(IC)的存儲器。由德州儀器制造生產(chǎn)的BQ4017YMC-70存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    BQ4017YMC-70

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    NVSRAM

  • 技術(shù):

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存儲容量:

    16Mb(2M x 8)

  • 存儲器接口:

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    70ns

  • 電壓 - 供電:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作溫度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    36-DIP 模塊(0.610",15.49mm)

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    36-DIP 模塊

  • 描述:

    IC NVSRAM 16MBIT PAR 36DIP MOD

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TI
23+
QFN
3200
正規(guī)渠道,只有原裝!
詢價
TI
21+
QFN32
12588
原裝正品,自己庫存 假一罰十
詢價
Texas Instruments
23+/24+
36-DIP
8600
只供原裝進(jìn)口公司現(xiàn)貨+可訂貨
詢價
TI/德州儀器
24+
QFN
4500
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價
TI
24+
QFN32
15000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價
TI/德州儀器
22+
QFN
18000
原裝正品
詢價
TI
18+
DIP
85600
保證進(jìn)口原裝可開17%增值稅發(fā)票
詢價
TI
23+
QFN
3200
公司只做原裝,可來電咨詢
詢價
TI/德州儀器
18+
VQFN-32
82
原裝現(xiàn)貨
詢價
TI
21+
QFN
3200
公司只做原裝,誠信經(jīng)營
詢價