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BUJ103AD

Silicondiffusedpowertransistor

Generaldescription High-voltage,high-speedplanar-passivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT428(D-PAK)surfacemountedpackage. Featuresandbenefits ■Lowthermalresistance ■Fastswitching Applications ■Electroniclightingballasts ■DC-to-DCconverters ■Inverters ■Mot

WEENWeEn Semiconductors

瑞能半導體瑞能半導體科技股份有限公司

BUJ103AU

SiliconDiffusedPowerTransistor

GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorintheSOT533envelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BUJ103AX

SiliconDiffusedPowerTransistor

GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BUJ103AX

SiliconDiffusedPowerTransistor

GENERALDESCRIPTION High-voltage,high-speedplanar-passivatednpnpowerswitchingtransistorinaplasticfull-packenvelopeintendedforuseinhighfrequencyelectroniclightingballastapplications,converters,inverters,switchingregulators,motorcontrolsystems,etc.

WEENWeEn Semiconductors

瑞能半導體瑞能半導體科技股份有限公司

BUJD103AD

NPNpowertransistorwithintegrateddiode

Generaldescription Highvoltage,highspeed,planarpassivatedNPNpowerswitchingtransistorwithintegratedanti-parallelE-CdiodeinaSOT428(DPAK)surface-mountableplasticpackage. Featuresandbenefits ■Fastswitching ■Highvoltagecapability ■Integratedanti-parallelE-Cdiode ■

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BUJD103AD

Silicondiffusedpowertransistor

Generaldescription High-voltage,high-speedplanar-passivatedNPNpowerswitchingtransistorinaSOT428(D-PAK)surfacemountedpackage. Featuresandbenefits ■Lowthermalresistance ■Fastswitching Applications ■Electroniclightingballasts ■DC-to-DCconverters ■Inverters ■Mot

WEENWeEn Semiconductors

瑞能半導體瑞能半導體科技股份有限公司

BUZ103

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-rateddv/dtratedLowon-resistance)

?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?dv/dtrated ?Lowon-resistance ?175°Coperatingtemperature ?alsoinTO-220SMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

BUZ103

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

BUZ103

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=40A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.04Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

BUZ103AL

SIPMOSPowerTransistor(NchannelEnhancementmodeAvalanche-ratedLogicLeveldv/dtrated)

?Nchannel ?Enhancementmode ?Avalanche-rated ?LogicLevel ?dv/dtrated ?Lowon-resistance ?175°Coperatingtemperature ?alsoinTO-220SMDavailable

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國西門子股份公司

晶體管資料

  • 型號：

    BR103X

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產廠家：

  • 制作材料：

    F-Thy

  • 性質：

  • 封裝形式：

    直插封裝

  • 極限工作電壓：

    30V

  • 最大電流允許值：

    1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數：

    3

  • 可代換的型號：

    TAG64A...Y,TAG103X,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數：

  • 圖片代號：

    C-78

  • vtest：

    30

  • htest：

    999900

  • atest：

    1

  • wtest：

    0

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SUNMATE(森美特)
2019+ROHS
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更多BR103X供應商 更新時間2025-3-30 16:00:00

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