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BSC060N10NS3G中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

BSC060N10NS3G
廠商型號(hào)

BSC060N10NS3G

功能描述

OptiMOS3 Power-Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

060N10NS

封裝外殼

PG-TDSON-8

文件大小

420.02 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-14 22:59:00

BSC060N10NS3G規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Very low gate charge for high frequency applications

? Optimized for dc-dc conversion

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Very low on-resistance R DS(on)

? 150 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Qualified according to JEDEC1) for target application

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BSC060N10NS3G

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel 100V 14.9A TDSON8

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
TDSON-8
12048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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