BSC076N04ND中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

廠商型號	BSC076N04ND
功能描述	OptiMOSTM-T2 Power Transistor, 40 V
絲印標識	076N04ND
封裝外殼	SSO8
文件大小	1.19341 Mbytes
頁面數(shù)量	11 頁
生產(chǎn)廠商	Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱	Infineon【英飛凌】
中文名稱	英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標識
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更新時間	2025-5-4 8:02:00
人工找貨	BSC076N04ND價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

Features

· Dual N-channel, normal level

· Fast switching MOSFETs

· Optimized technology for drives applications

· Superior thermal resistance

· 100 avalanche tested

· Pb-free plating; RoHS compliant

· Halogen-free according to IEC61249-2-21

Product Validation

Qualified for industrial applications according to the relevant tests of

JEDEC47/20/22

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