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BSC252N10NSFG中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BSC252N10NSFG
廠商型號(hào)

BSC252N10NSFG

功能描述

OptiMOS?? Power-Transistor

絲印標(biāo)識(shí)

252N10NS

封裝外殼

TDSON-8

文件大小

419.52 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-13 9:48:00

BSC252N10NSFG規(guī)格書詳情

Features

? Very low gate charge for high frequency applications

? Optimized for dc-dc conversion

? N-channel, normal level

? Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

? Low on-resistance RDS(on)

? 150 °C operating temperature

? Pb-free lead plating; RoHS compliant

? Qualified according to JEDEC1) for target application

? Halogen-free according to IEC61249-2-21

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BSC252N10NSFG

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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