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BSH205G2

Marking：KB；Package：TO-236AB；20 V, P-channel Trench MOSFET

Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?Lowon-stateresistance ?TrenchMOSFETtechnology ?Enhanced

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BSH205G2A

Marking：Q8；Package：SOT23；20 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Lowthresholdvoltage ?ExtendedtemperaturerangeTj=175°C ?TrenchMOSFET

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BSH205G2R

Marking：WT1X；Package：SOT-23；P-Channel Mosfet

PWMapplications Loadswitch Powermanagement

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺舟電子臺舟電子股份有限公司

BSH205G2_15

20 V, P-channel Trench MOSFET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

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更多BSH205G2供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 9:02:00

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