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BSM75GAL120DN2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

BSM75GAL120DN2

參數(shù)屬性

BSM75GAL120DN2 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤(pán);類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 1200V 105A 625W

功能描述

英飛凌IGBT模塊 BSM75GAL120DN2
IGBT MOD 1200V 105A 625W

封裝外殼

模塊

文件大小

87.64 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
資料整理 蘇州銀邦電子科技有限公司
數(shù)據(jù)手冊(cè)

本地下載下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-2-15 22:59:00

BSM75GAL120DN2規(guī)格書(shū)詳情

BSM75GAL120DN2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的BSM75GAL120DN2晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    BSM75GAL120DN2HOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 包裝:

    托盤(pán)

  • 配置:

    單開(kāi)關(guān)

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,75A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

    無(wú)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MOD 1200V 105A 625W

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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