BSR58LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書(shū)PDF中文資料
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廠商型號(hào) |
BSR58LT1G |
參數(shù)屬性 | BSR58LT1G 封裝/外殼為T(mén)O-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET;產(chǎn)品描述:JFET N-CH 40V 350MW SOT23 |
功能描述 | JFET Chopper Transistor N??hannel ??Depletion |
封裝外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
92.2 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-2-19 20:00:00 |
BSR58LT1G規(guī)格書(shū)詳情
BSR58LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BSR58LT1G晶體管 - JFET結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開(kāi)關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢(shì)差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力,這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過(guò)源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道,因此 JFET 不需要偏置電流。
JFET Chopper Transistor
N?Channel ? Depletion
Features
? Pb?Free Package is Available
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
BSR58LT1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET
- 包裝:
散裝
- FET 類型:
N 通道
- 工作溫度:
-65°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
SOT-23-3(TO-236)
- 描述:
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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