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BSS83

SIPMOS Small-Signal-Transistor

Features ?P-Channel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?LogicLevel ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS83

MOSFET N-channel enhancement switching transistor

DESCRIPTION Symmetricalinsulated-gatesiliconMOSfield-effecttransistoroftheN-channelenhancementmodetype.ThetransistorissealedinaSOT143envelopeandfeaturesalowONresistanceandlowcapacitances.The transistorisprotectedagainstexcessiveinputvoltagesbyintegratedb

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BSS83

MOSFET N-channel enhancement switching transistor

DESCRIPTION Symmetricalinsulated-gatesiliconMOSfield-effecttransistoroftheN-channelenhancementmodetype.ThetransistorissealedinaSOT143envelopeandfeaturesalowONresistanceandlowcapacitances.The transistorisprotectedagainstexcessiveinputvoltagesbyintegratedb

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSS83

Marking：M74；Package：SOT143B；MOSFET N-channel enhancement switching transistor

DESCRIPTION Symmetricalinsulated-gatesiliconMOSfield-effecttransistoroftheN-channelenhancementmodetype.ThetransistorissealedinaSOT143envelopeandfeaturesalowONresistanceandlowcapacitances.Thetransistorisprotectedagainstexcessiveinputvoltagesbyintegratedback-t

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BSS83

RF Manual 16th edition

Generaldescription 10WplasticLDMOSpowertransistorforbasestationapplicationsatfrequenciesfrom700MHzto2700MHz. Featuresandbenefits ■Highefficiency ■Excellentruggedness ■Designedforbroadbandoperation ■Excellentthermalstability ■Highpowergain ■IntegratedESDp

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導(dǎo)體公司

BSS83P

SIPMOS Small-Signal-Transistor

Features ?P-Channel ?Enhancementmode ?Avalancherated ?LogicLevel ?dv/dtrated

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

BSS83P

Marking：610T；Package：SOT-23；1.7Q ,60V P-Channel MOSFET

Vdss=60V ID=0.5A Rps(oNn)=1.7Q@VGs=-10V

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

BSS84

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

DESCRIPTION P-channelenhancementmodeverticalD-MOStransistorinaSOT23SMDpackage. FEATURES ?Lowthresholdvoltage ?DirectinterfacetoC-MOS,TTL,etc. ?High-speedswitching ?Nosecondarybreakdown. APPLICATIONS ?Linecurrentinterrupterintelephonesets ?Relay,highspeeda

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

BSS84

Marking：SP；Package：SOT-23；P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisdesignedtominimizeon-stateresistance,provideruggedandreliableperformanceandfastswitching

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

BSS84

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

P-ChannelEnhancementModeMOSFET Feature ●-50V,-0.13A,RDS(ON)=10Ω@VGS=-10V ●HighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    BSS80(B,C)

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-PNP

  • 性質(zhì)：

    表面帖裝型 （SMD）_低頻或音頻放大 （LF）_開(kāi)關(guān)管

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

    60V

  • 最大電流允許值：

    0.8A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    BCX42,3CK10C,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    60

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.8

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BSS8

  • 制造商：

    TT Electronics/Welwyn

  • 制造商：

    Welwyn Components

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
原廠原包
24+
原裝
38560
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,工廠客戶可以放款。17377264928微信同
 詢價(jià)
BI TECH
2023+
原廠封裝
8700
原裝現(xiàn)貨
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PHILIPS
24+
SOT23
200000
詢價(jià)
Farichild
24+
6980
原裝現(xiàn)貨,可開(kāi)13%稅票
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PHI
06+
SOT23-3
379
原裝現(xiàn)貨海量庫(kù)存歡迎咨詢
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FAIRCHILD
2020+
SOT23
2114
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可
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FAIRCHILD
24+
SMD
6523
進(jìn)口原裝公司百分百現(xiàn)貨可出樣品
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INFINEON
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SOT-23
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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SIEMENS/西門子
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只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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NEXPERIA
1809+
SOT23-3
16750
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更多BSS8供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-22 12:00:00

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