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BTD2012FP中文資料全宇昕科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

BTD2012FP
廠商型號(hào)

BTD2012FP

功能描述

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

文件大小

175.59 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Cystech Electonics Corp.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

CYSTEKEC全宇昕科技

中文名稱

全宇昕科技股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-5 23:00:00

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BTD2012FP規(guī)格書詳情

Features

? Low collector-to-emitter saturation voltage, typically VCE(SAT)=0.25V at IC / IB=2A / 0.2A

? Excellent DC current gain characteristics

? High allowable power dissipation, PD=25W(TC=25℃ )

? Large current capability

? Pb-free package

Applications

? DC-DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    BTD2012FP

  • 制造商:

    CYSTEKEC

  • 制造商全稱:

    Cystech Electonics Corp.

  • 功能描述:

    Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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