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BTD965N3

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.35V(typical),atIC/IB=3A/0.1A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1386N3

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

BTD965N3-Q-T1-G

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.35V(typical),atIC/IB=3A/0.1A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1386N3

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

BTD965N3-R-T1-G

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.35V(typical),atIC/IB=3A/0.1A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1386N3

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司

BTD965N3-S-T1-G

Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor

Features ?LowVCE(sat),VCE(sat)=0.35V(typical),atIC/IB=3A/0.1A ?ExcellentDCcurrentgaincharacteristics ?ComplementarytoBTB1386N3

CYSTEKECCystech Electonics Corp.

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SOT-23
360000
交期準(zhǔn)時服務(wù)周到
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SOT-23
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更多BTD965N3供應(yīng)商 更新時間2025-2-19 14:00:00