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BU406G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BU406G
廠商型號(hào)

BU406G
參數(shù)屬性

BU406G 封裝/外殼為T(mén)O-220-3；包裝為散裝；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 200V 7A TO220
功能描述

NPN Power Transistors
TRANS NPN 200V 7A TO220
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

127.03 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-11 18:25:00

BU406G規(guī)格書(shū)詳情

BU406G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的BU406G晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)分立式雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無(wú)線電及其他應(yīng)用中用于構(gòu)建模擬信號(hào)放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導(dǎo)體器件之一，對(duì)于涉及高頻開(kāi)關(guān)和在大電流或高電壓下工作的應(yīng)用而言，它們的特性相比某些器件類(lèi)型不占優(yōu)勢(shì)，但對(duì)于需要以極小的噪聲和失真構(gòu)建模擬信號(hào)的應(yīng)用而言，它們?nèi)匀皇鞘走x技術(shù)。

NPN SILICON POWER TRANSISTORS 7 AMPERES ? 60 WATTS 150 AND 200 VOLTS

These devices are high voltage, high speed transistors for horizontal deflection output stages of TV’s and CRT’s.

Features

? High Voltage: VCEV = 330 or 400 V

? Fast Switching Speed: tf = 750 ns (max)

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1 V (max) @ 5 A

? Pb?Free Packages are Available*

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BU406G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    1V @ 500mA，5A

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    5mA

  • 頻率 - 躍遷：

    10MHz

  • 工作溫度：

    -65°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 200V 7A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi
兩年內(nèi)
NA
300
實(shí)單價(jià)格可談
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ON
2016+
TO220
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