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BU999集成電路(IC)的存儲器規(guī)格書PDF中文資料

BU999
廠商型號

BU999

參數(shù)屬性

BU999 封裝/外殼為6-XFBGA,CSPBGA;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的存儲器;產(chǎn)品描述:IC EEPROM 32KBIT I2C VCSP30L1

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

封裝外殼

6-XFBGA,CSPBGA

文件大小

246.69 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-18 16:49:00

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晶體管資料

  • 型號:

    BU999

  • 別名:

    BU999三極管、BU999晶體管、BU999晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_開關管 (S)_功率放大 (L

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    160V

  • 最大電流允許值:

    25A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號:

    BUX69,

  • 最大耗散功率:

    106W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號:

    B-70

  • vtest:

    160

  • htest:

    999900

  • atest:

    25

  • wtest:

    106

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    BU99901GUZ-WE2

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    集成電路(IC) > 存儲器

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 存儲器類型:

    非易失

  • 存儲器格式:

    EEPROM

  • 技術:

    EEPROM

  • 存儲容量:

    32Kb(4K x 8)

  • 存儲器接口:

    I2C

  • 寫周期時間 - 字,頁:

    5ms

  • 電壓 - 供電:

    1.7V ~ 3.6V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    6-XFBGA,CSPBGA

  • 供應商器件封裝:

    VCSP30L1

  • 描述:

    IC EEPROM 32KBIT I2C VCSP30L1

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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