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BUK7Y18-55B

N-channel TrenchMOS standard level FET

1.1Generaldescription StandardlevelN-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaplastic packageusingNexperiaHigh-PerformanceAutomotive(HPA)TrenchMOStechnology. ThisproducthasbeendesignedandqualifiedtotheappropriateAECstandardforuse inautomotivecritica

NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved

安世安世半導體(中國)有限公司

BUK7Y18-55B

N-channel TrenchMOS standard level FET

nxpNXP Semiconductors

恩智浦恩智浦半導體公司

BUK7Y18-55B_15

N-channel TrenchMOS standard level FET

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

詳細參數(shù)

  • 型號：

    BUK7Y18-55B

  • 制造商：

    NXP Semiconductors

  • 功能描述：

    MOSFET N CH 55V 47.4A LFPAK

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, 55V, 47.4A, LFPAK

  • 功能描述：

    MOSFET, N CH, 55V, 47.4A, LFPAK; Transistor

  • Polarity：

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id：

    47.4A; Drain Source Voltage

  • Vds：

    55V; On Resistance

  • Rds(on)：

    0.0127ohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs：

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ：

    3V ;RoHS

  • Compliant：

    Yes

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更多BUK7Y18-55B供應(yīng)商 更新時間2025-2-22 13:28:00

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