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BUK9D23-40E中文資料安世數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

BUK9D23-40E
廠商型號

BUK9D23-40E

功能描述

40 V, N-channel Trench MOSFET

絲印標識

4B

封裝外殼

DFN2020MD-6

文件大小

311.11 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 Nexperia B.V. All rights reserved
企業(yè)簡稱

NEXPERIA安世

中文名稱

安世半導體(中國)有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-5-29 17:40:00

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BUK9D23-40E規(guī)格書詳情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a medium power DFN2020MD-6

(SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

? Extended temperature range Tj = 175 °C

? Side wettable flanks for optical solder inspection

? Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

? Trench MOSFET technology

? AEC-Q101 qualified

3. Applications

? Relay driver

? High-speed line driver

? Low-side load switch

? Switching circuits

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