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BUL770分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書(shū)PDF中文資料

BUL770
廠商型號(hào)

BUL770
參數(shù)屬性

BUL770 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS NPN 400V 2.5A TO220
功能描述

NPN SILICON POWER TRANSISTOR
封裝外殼

TO-220-3
文件大小

110.26 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Power Innovations Ltd
企業(yè)簡(jiǎn)稱

POINN

中文名稱

Power Innovations Ltd官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-17 9:36:00
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BUL770規(guī)格書(shū)詳情

● Designed Specifically for High Frequency Electronic Ballasts up to 50 W

● hFE 7 to 21 at VCE = 1 V, IC = 800 mA

● Low Power Losses (On-state and Switching)

● Key Parameters Characterised at High Temperature

● Tight and Reproducible Parametric Distributions

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BUL770-S

  • 制造商：

    Bourns Inc.

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    NPN

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    250mV @ 160mA，800mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）：

    10μA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    7 @ 800mA，1V

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRANS NPN 400V 2.5A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
TI
25+
TO-220
2795
原裝正品,假一罰十!
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Bourns Inc.
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