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BUZ80A

N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor

N-ChannelEnhancementModePowerMOSTransistor ●TypicalRDS(on)=2.5? ●AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ●100AVALANCHETESTED ●REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100℃ ●LOWINPUTCAPACITANCE ●LOWGATECHARGE ●APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ●HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCH

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

BUZ80A

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

BUZ80A

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode)

SIPMOS?PowerTransistor ?Nchannel ?Enhancementmode

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西門子德國(guó)西門子股份公司

BUZ80A

Drain source voltage

FASTPOWERMOSTRANSISTOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

BUZ80A

SEMICONDUCTORS

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc未分類制造商etc2未分類制造商

BUZ80AFI

N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistor

N-ChannelEnhancementModePowerMOSTransistor ●TypicalRDS(on)=2.5? ●AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ●100AVALANCHETESTED ●REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100℃ ●LOWINPUTCAPACITANCE ●LOWGATECHARGE ●APPLICATIONORIENTEDCHARACTERIZATION APPLICATIONS ●HIGHCURRENT,HIGHSPEEDSWITCH

ARTSCHIP

ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.

BUZ80AFI

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.0Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    BUZ80A

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 800V 3.6A TO-220AB

  • RoHS：

    否

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    SIPMOS®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
2024+
N/A
70000
柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)
 詢價(jià)
INFINEON
24+
P-TO220-3-1
8866
詢價(jià)
inf
24+
21322
公司原廠原裝現(xiàn)貨假一罰十!特價(jià)出售!強(qiáng)勢(shì)庫(kù)存!
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO220
1150
特價(jià)庫(kù)存
 詢價(jià)
ST
24+
原廠封裝
4000
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價(jià)
XI.M.Z
16+
TO-220
10000
全新原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
NA
19+
66954
原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；
 詢價(jià)
INFINE0N
23+
TO-220-3
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
ST
25+23+
TO-220
30163
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨
 詢價(jià)
INFINEO
21+
TO220
12588
原裝正品,自己庫(kù)存 假一罰十
 詢價(jià)
更多BUZ80A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-30 13:00:00

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