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BC858C分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

BC858C
廠商型號(hào)

BC858C
參數(shù)屬性

BC858C 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管（BJT）-單個(gè)；產(chǎn)品描述：TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
功能描述

General Purpose Transistors
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

922.79 Kbytes
頁面數(shù)量

7 頁
生產(chǎn)廠商 Yea Shin Technology Co., Ltd
企業(yè)簡稱

YEASHIN【亞昕科技】

中文名稱

亞昕科技股份有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二
更新時(shí)間

2025-2-14 13:00:00

BC858C規(guī)格書詳情

General Purpose Transistors

PNP Silicon

? Moisture Sensitivity Level: 1

? ESD Rating

– Human Body Model: >4000 V

– Machine Model: >400 V

? We declare that the material of product compliance with

RoHS requirements.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    BC858C

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：

    650mV @ 5mA，100mA

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：

    420 @ 2mA，5V

  • 頻率 - 躍遷：

    150MHz

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3

  • 描述：

    TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
INFINEON
23+
SOT23-3
63000
原裝正品現(xiàn)貨
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全新原裝正品,現(xiàn)貨銷售
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SOT23
985000
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