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IRA-E940

PyroelectricInfraredSensors

MuRataMurata Manufacturing Co., Ltd.

村田村田制作所

IRF940

PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.030ohm)

Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide

IRF

International Rectifier

IS940

GENERALPURPOSEDIODES

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS940

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS940

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS940

TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

IS940

GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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IS940

GENERALPURPOSEDIODES

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新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

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GeneralPurposeDiodes

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新澤西半導(dǎo)體新澤西半導(dǎo)體產(chǎn)品股份有限公司

晶體管資料

  • 型號(hào):

    CA940

  • 別名:

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家:

  • 制作材料:

  • 性質(zhì):

    低頻或音頻放大 (LF)_功率放大 (PA)

  • 封裝形式:

    直插封裝

  • 極限工作電壓:

    150V

  • 最大電流允許值:

    1.5A

  • 最大工作頻率:

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù):

    3

  • 可代換的型號(hào):

  • 最大耗散功率:

    25W

  • 放大倍數(shù):

  • 圖片代號(hào):

    B-91

  • vtest:

    150

  • htest:

    999900

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    25

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多CA940供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-6 10:50:00