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CE3512K2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

CE3512K2
廠商型號

CE3512K2
參數(shù)屬性

CE3512K2 封裝/外殼為4-Micro-X；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
功能描述

12 GHz Super Low Noise FET in Hollow Plastic PKG
RF FET 4V 12GHZ 4MICROX
封裝外殼

4-Micro-X
文件大小

758.2 Kbytes
頁面數(shù)量

8 頁
生產(chǎn)廠商 California Eastern Labs
企業(yè)簡稱

CEL

中文名稱

California Eastern Labs官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二
更新時間

2025-3-21 18:02:00
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CE3512K2規(guī)格書詳情

CE3512K2屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由California Eastern Labs制造生產(chǎn)的CE3512K2晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    CE3512K2

  • 制造商：

    CEL

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型：

    pHEMT FET

  • 頻率：

    12GHz

  • 增益：

    13.7dB

  • 額定電流（安培）：

    15mA

  • 噪聲系數(shù)：

    0.5dB

  • 功率 - 輸出：

    125mW

  • 封裝/外殼：

    4-Micro-X

  • 供應商器件封裝：

    4-Micro-X

  • 描述：

    RF FET 4V 12GHZ 4MICROX

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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