CEB16N10中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
CEB16N10 |
功能描述 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
文件大小 |
615.27 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
4 頁 |
生產(chǎn)廠商 | CET-MOS Technology Corp. |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
CET-MOS【華瑞】 |
中文名稱 | 華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-3-21 20:00:00 |
人工找貨 | CEB16N10價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
CEB16N10規(guī)格書詳情
FEATURES
100V, 15.2A, RDS(ON) = 120mW @VGS = 10V.
Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).
High power and current handing capability.
TO-220 & TO-263 package.
Lead free product is acquired.
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
CEB16N10
- 制造商:
CET
- 制造商全稱:
Chino-Excel Technology
- 功能描述:
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
CET |
25+ |
TO-263 |
70 |
原裝正品,假一罰十! |
詢價(jià) | ||
SR |
21+ |
TO251 |
10026 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
太友 |
24+ |
N/A |
6666 |
公司現(xiàn)貨庫存,支持實(shí)單 |
詢價(jià) | ||
CET |
24+ |
TO-263 |
16800 |
絕對(duì)原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,假一賠十,價(jià)格優(yōu)勢(shì)!? |
詢價(jià) | ||
CET |
24+ |
50000 |
詢價(jià) | ||||
CET/華瑞 |
2022+ |
TO-263 |
30000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
CET |
24+ |
TO-263 |
90000 |
進(jìn)口原裝現(xiàn)貨假一罰十價(jià)格合理 |
詢價(jià) | ||
SR |
23+ |
T0-263 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價(jià) | ||
CET |
21+ |
TO-263 |
70 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
CET/華瑞 |
20+ |
TO-263 |
17 |
現(xiàn)貨很近!原廠很遠(yuǎn)!只做原裝 |
詢價(jià) |