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CEB30P03中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEB30P03
廠商型號

CEB30P03

功能描述

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

617.68 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 CET-MOS Technology Corp.
企業(yè)簡稱

CET-MOS華瑞

中文名稱

華瑞功率電子股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-21 13:52:00

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CEB30P03規(guī)格書詳情

FEATURES

-30V, -30A, RDS(ON) =32mW @VGS = -10V.

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 package.

RDS(ON) =50mW @VGS = -4.5V.

Lead free product is acquired.

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
CET
1626+
TO-263
15256
代理品牌
詢價
太友
24+
N/A
7777
公司現(xiàn)貨庫存,支持實單
詢價
CET
23+
原廠原包
19960
只做進(jìn)口原裝 終端工廠免費送樣
詢價
CET
23+24
TO-263
38754
原裝正品渠道商,提供BOM一站式配單服務(wù)
詢價
CET
20+
TO-263
368
樣品可出,原裝現(xiàn)貨
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VBsemi
23+
TO263
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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原裝正品,假一罰十!
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2025+
TO-263
986966
國產(chǎn)
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24+
TO263
18000
原裝正品 有掛有貨 假一賠十
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