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CEBF630B中文資料華瑞數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

CEBF630B
廠商型號

CEBF630B

功能描述

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

86.39 Kbytes

頁面數(shù)量

4

生產(chǎn)廠商 Chino-Excel Technology
企業(yè)簡稱

CET華瑞

中文名稱

華瑞股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-5-23 9:53:00

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CEBF630B規(guī)格書詳情

Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).

High power and current handing capability.

TO-220 & TO-263 & TO-262 package & TO-220F full-pak for through hole.

Lead free product is acquired.

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    CEBF630B

  • 功能描述:

    200V N Channel MOS

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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